欠陥
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SiFusion熱処理炉用治具はシリコンカーバイド製に比べ、最高80%までパーティクル欠陥を低減することが実証されています。

欠陥防止とスループットの向上

SiFusion ポリシリコン製炉部品はウェハと同じ原料物質から作られているため、フロントエンドプロセスで発生する欠陥率を大幅に改善することができます。 ウェハは熱処理中、一連の過酷な状態に置かれます。炉の中の治具が物理的な形状を損なうことなくその状況に耐えることができなければ、ウェハに欠陥が生じることになります。 従来の 石英 または シリコンカーバイド の 消耗部品に固有の特性が フロントエンドプロセス 中に発生するほとんどのパーティクル欠陥の原因となっています。 デバイスが小型化すると、汚染の許容度が低くなります。 従って、 100 nm 以下のデバイスを対象とした場合、欠陥密度が大きな障壁になります。

製品材料の比較：

パーティクル スリップ 金属
石英 高レベル 非常に高レベル 高レベル
シリコンカーバイド 中程度から低レベル 中程度から高レベル 中程度から高レベル
SiFusion 低レベル なし 非常に低レベル

パーティクル欠陥の低減

高純度のポリ シリコン 製 SiFusion 治具は、 特別な表面処理がしてあるため ほとんど フレーク 剥離や剥がれが起こらず 、パーティクルの発生が低減されます。 この特別な表面処理によって、堆積膜とポリシリコン製治具表面の間に強い密着力が働きます。 高温成膜プロセスでは、膜と治具の間の熱ストレスが膜の破砕を引き起こします。この破砕によって発生するパーティクルは 欠陥密度の主要原因であり、歩留りに悪影響を及ぼします。 石英は 加熱を繰り返すと、 パーティクルを炉の中に放出し、ウェハに損傷を与えるため、頻繁に取り替えなくてはなりません。

低 レベルの 微量金属 汚染

SiFusion 技術によって 微量金属 汚染 を大幅に低減することができます。 SiFusion 製品の金属汚染は、高純度石英または シリコンカーバイド製品より 2 桁から 4 桁の割合で少ないものです。 SiFusion 製品はウェハと同じ材料で作られているため、穴や砕片、亀裂などができても、汚染を引き起こすことがありません。 反対に、石英および シリコンカーバイド中の金属不純物は、 高温 アニール処理中に溶出してウェハを汚染します。

スリップの回避

SiFusion 治具は ウェハ と 熱膨張率が同じため、スリップ がなくなり、 歩留りが向上 します。 結晶の 損傷 または「スリップ」はウェハ保持具とシリコンウェハの熱膨張率の違いから起き、摩擦によってチップに損傷を与えます。高温処理中に発生するスリップは、縦型炉内で 歪んだり 、たるんだりする 石英 製の消耗部品を使った場合、特に問題です。 従来の シリコンカーバイド および 石英 製品に比べた場合の SiFusion 製品のその他の利点について、詳しくは下記の資料をご覧ください：

所有コスト

SiFusion熱処理炉用治具は長い寿命を持ち、炉のダウンタイムを短縮し、洗浄の必要性を解消し、所有コストの削減に大きく貢献します。

ダウンタイム

SiFusion熱処理炉用治具は、生産性低下の主な原因となっている、予防保全作業による炉のダウンタイムを大幅に短縮します。