SIFusion Press Releases

IMI Announces Breakthrough "SUMMIT" Technology for Silicon Nitride LPCVD Applications

Thu, 11 Dec 2008 05:37:41 +1100

SUNNYVALE, Calif. – (Dec. 3, 2008) – Integrated Materials®, Inc. (IMI), a silicon science and technology company, today announced a major research breakthrough that will significantly improve performance and extend the life of the companies SiFusion™ brand of ultra-pure polysilicon furnace-ware for Silicon Nitride (SiN) LPCVD applications. The unique patent pending approach is expected to enable unprecedented gains in SiN furnace productivity by dramatically extending the time between preventive maintenance events and reducing particle defects. The technology works by modifying the molecular properties of the polysilicon surface enabling a surface state that is best suited to the promotion of film adhesion and stress management.

“The “Surface Modification and Molecular Incorporation Treatment” (SUMMIT) process is a novel process that increases the adhesive force between the surface of silicon and high stressed films, such as SiN film,” said Dr. Sang In Lee, Chief Technology Officer of IMI. “By combining with IMI’s proprietary surface treatment, the SUMMIT process enhances the productivity and the performance of IMI’s silicon hotzone by giving better particle performance and a longer mean time between clean (MTBC) than Quartz and SiC furnaceware.”

Evaluation of the production worthiness of the technology is underway at multiple customer sites in parallel with joint evaluation at IMI’s Strategic Marketing partner, Tokyo Electron. IMI believes this breakthrough will extend its lead in performance for SiN applications significantly beyond the reach of its competitors, further demonstrating the technological differentiation of its SiFusion™ ultra-pure polysilicon product line.

"We believe that our new solution will facilitate more effective utilization of batch furnace Silicon Nitride processes at current technology nodes and enable extension of current batch furnace processes to future nodes. This advancement will clearly enhance productivity, but more importantly reduce particles and improve yield." said Daniel Rubin, Chief Executive Officer of IMI. "The development of the SUMMIT process marks the biggest advance in furnaceware since the introduction of SiFusion™ ultra-pure polysilicon furnaceware in 2004".

Furnaceware is the widely used term for consumable parts that make up the process chamber in an LPCVD semiconductor furnace. By adopting the SUMMIT process across its full 200mm and 300mm SiN product line, comprised of towers, pedestals, liners, injectors, baffles and dummy wafers, IMI offers a complete solution to customers in search of a significant improvement in SiN performance and cost. About Integrated Materials, Inc.

With its patented SiFusion™ technology, Integrated Materials, Inc., Sunnyvale, Calif., is the first and only company to perfect the polysilicon furnace fixtures solution sought for years by the semiconductor industry. Integrated Materials’ unique family of SiFusion™ polysilicon furnaceware eclipses traditional quartz and silicon carbide consumables by its ability to increase yield by reducing particles in LPCVD as well as trace metal contamination and slip reduction in high temperature processes. SiFusion™ furnaceware improves productivity and reduces cost with the significant reduction of routine cleaning.

www.sifusion.com.

Contact: Integrated Materials, Inc. +1-408-437-7591

Fergal O’Moore (ex.279) fomoore@integratedmaterials.com

東京エレクトロン（株）とインテグレーテッドマテリアルズ社共同による戦略的マーケティングアライアンス�

Wed, 22 Oct 2008 10:02:28 +1100

東京エレクトロン（株）とインテグレーテッドマテリアルズ社共同による戦略的マーケティングアライアンスプログラムの発表

東京エレクトロン（株）(TEL)（東京都港区　社長：佐藤潔）とインテグレーテッドマテリアル社（IMI）（米国カリフォルニア州　CEO：Daniel Rubin）は、TEL製熱処理成膜装置とIMI製ファーネス用治具（SiFusionTM）による新しい協力体制を発表いたしました。

今回の合意により、TELはIMI製品を推奨部品の一つとして採用し、LPCVD POLYアプリケーション向けにIMIの100%ポリシリコン製部品SiFusionTMの独占供給を受けます。IMIが独自に有するSiFusionTMの表面技術により、TEL LPCVD POLY装置のPMサイクルは従来比で5倍から20倍に延長されます。これにより、従来の定期メンテナンス（PM）頻度やクリーニングコストが削減され、熱処理成膜装置の稼働率が向上することで、TCO　(Total Cost of Ownership) の改善を期待する事ができます。

「弊社は、常にお客様にとって有意義な新しい技術を取り込んで行きたいと思っています。この協力により、熱処理成膜装置の更なる性能向上と、最善のCoOをお客様にご提供できるものと確信しております。」東京エレクトロン(株)取締役常務執行役員兼TPS　BUゼネラルマネージャー　竹中　博司

「IMIは業界で初めて、そして唯一、100%のポリシリコン材料でファーネス治具を製造することに成功致しました。世界中のIC製造分野に対し、TELの最先端熱処理成膜装置とともに、高純度でメンテナンスの容易な低CoOのファーネス治具ソリューションをご提供して行きたいと思います。」 IMI社　社長兼CoO　ダニエル･ルビン　

TELとIMIは、今回の協力体制により、お客様に対して更なる付加価値をご提供し、更に他のアプリケーションへの展開も含めた検討も進めて参ります。

お問い合わせ東京エレクトロン(株)　ポストセールス本部サービス戦略企画部中原　哲也電話番号：042-333-8357 e-mail：tetsuya.nakahara@tel.com

インテグレーテッドマテリアルズ社　セールス＆マーケティング電話番号：+1-408-437-7591 イルソン･リー (ex.242) e-mail：ilee@integratedmaterials.com 岸田　篤士 (ex.232) e-mail：akishida@integratedmaterials.com

Tokyo Electron Limited (TEL) and Integrated Materials, Inc. (IMI) Announce Joint Strategic Marketing Alliance Program

Tokyo, JAPAN- November 29, 2007 - Tokyo Electron Limited (TEL) and Integrated Materials, Inc. (IMI) announced plans to jointly promote their most advanced furnace systems and SiFusion™ furnace consumables.

Under this agreement, TEL designates IMI as a strategic supplier making IMI products as its preferred furnace consumables and has an exclusive right to use IMI’s SiFusion™ 100% pure poly silicon furnace consumables for LPCVD Poly applications. It is expected that IMI’s SiFusion™ products will enable customer to improve TCO (Total Cost of Ownership) by reducing preventive maintenance (PM) cycles, and cleaning costs, while increasing furnace availability. IMI’s proprietary SiFusionTM surfaces allow TEL furnace systems to accumulate 5 to 20 times more Poly LPCVD film deposition before a PM.

“TEL is always interested in adopting a new technology that will benefit customers.” said Hiroshi Takenaka, Corporate Director of TEL and Senior Vice President and General Manager of Thermal Processing System Business Unit. “We expect this alliance will provide better overall furnace system performance to customers at lower overall cost of ownership.” Daniel Rubin, President and CEO of IMI commented “IMI is the first and the only company that has technologies to manufacture production proven furnace consumables with 100% pure poly silicon material. Together with TEL’s most advanced furnace systems, we expect to provide high purity, low maintenance, and improved cost of ownership furnace solutions to IC manufacturers worldwide.” TEL and IMI believes this alliance will provide customers with value added furnace solutions and both parties are currently discussing expansion of the alliance for other applications.

About TEL

TEL, established in 1963, is a leading supplier of innovative semiconductor and FPD production equipment worldwide. In Japan, TEL also distributes computer network related products and electronic components of global leading suppliers. To support this diverse product base, TEL is strategically located around the world. TEL is a publicly held company listed on the Tokyo Stock Exchange. www.tel.com

Contact: TEL Thermal Processing Systems Business Unit Shingo Tada: +81-3-5561-7381 teddy.tada@tel.com

About Integrated Materials, Inc.

With its patented SiFusion™ technology, Integrated Materials, Inc., Sunnyvale, Calif., is the first and only company to perfect the poly silicon furnace fixtures solution sought for years by the semiconductor industry. Integrated Materials’ unique family of SiFusionTM poly silicon furnaceware eclipses traditional quartz and silicon carbide consumables by its ability to increase yield by reducing particles in LPCVD as well as trace metal contamination and slip reduction in high temperature processes. SiFusionTM furnaceware improves productivity and reduces cost with the significant reduction of routine cleaning. www.sifusion.com

Contact: Integrated Materials, Inc. +1-408-437-7591 Ilsong Lee(ex.242) ilee@integratedmaterials.com Atsushi Kishida (ex.232) akishida@integratedmaterials.com

Hynix Semiconductor、Inc。統合された材料SiFusion Furnacewareを選ぶ

Thu, 14 Sep 2006 02:16:45 +1000

Sunnyvale、カリフォルニア。 - 9月。 13 2006年- Integrated Materials、 Inc。そのHynix Semiconductor、Inc.の半導体メモリープロダクトの一流の製造者、指定統合された材料の」 Ichon、韓国の300のmmの生産ラインのためのSiFusionTMのfurnacewareを発表する。 IMIのSiFusionTMのボートは高度のメモリーチップの製造のためにLPCVDプロセスで使用される。

SiFusionTMの純粋な多ケイ素のボートはすてきののために利用できる炉の生産時間および発生の原価節約を高める競争の炭化ケイ素および水晶プロダクトによって必要な頻繁で定期的なクリーニングを除去する。 SiFusionのボートの採用によって、Hynixは改善されたプロセス安定性を予想し、効率を高め、そして全面的な欠陥率を下げる。

より有効な炉の利用を実現する必要がある優秀なプロセス性能、「furnacewareをHynixに与えるために「私達は刺激され、統合された材料のトムCadwell、大統領およびCEOを言った。「SiFusionのfurnacewareは次世代により高い効率、安価およびより容易なプロセス移動のためのドアを65のナノメーターおよび45のナノメーターの設計開ける。「

資格審査は生じる

Hynixの資格のテストデータの全面的な結果はSiFusionTM 容易に会われたHynixの競争商品のためにunachievableだった厳しい生産の規準を示す。テストデータは代替案と比較された重要な原価節約を明らかにした。

「SiFusionTMをテストした後これらのボートが私達のシステムに容易に統合されることは300のmmのボートHynix Semiconductor、Inc.で明確、「年長工学マネージャーである。示される。「さらに、私達は高められた用具の稼働時間を見、Hynixが私達の顧客が追求する最も最近のメモリプロダクトの生産を高めるようにするプロセス性能を改善した。「

Hynix Semiconductor、Inc.について。

Hynix Semiconductor Inc。 (彼の) Ichonの、韓国は顧客の広い範囲へ、半導体メモリープロダクトの一流の製造者である。 Hynix についてのより詳しい情報はwww.hynix.comで利用できる。

インテグレーテッドマテリアルズがポリシリコン製のファーネスライナーを発表

Wed, 13 Sep 2006 02:27:08 +1000

Fri, 14 Jul 2006 03:05:35 +1000

Integrated Materialsがポリシリコン製ファーネス・ライナーを発売

Wed, 12 Jul 2006 08:11:27 +1000

カリフォルニア州サンフランシスコおよびサニーベール、SEMICON West展示会ブース6480、2006年7月11日 – Integrated Materialsは、半導体ファーネス・プロセス用の高純度ポリシリコンSiFusion™ライナーを世界中で発売すると発表する予定です。現時点では、この革新的な新製品は、特定の顧客に対し「ベータ版」の検証を目的として少量が出荷されているだけです。このライナー冶具は、ファーネスボート、インジェクタ、ペデスタとともにSiFusionファーネスウェアの構成要素です。

ファブは、他のSiFusion製品とともにこの高純度ポリシリコン製ライナーを使用することで、従来の石英とシリコンカーバイド製の消耗品を凌駕する、ポリシリコンの持つ特長を完全に活かすことができます。その利点には、ファーネスの洗浄やコンポーネントの交換のためのダウンタイムの大幅な削減、パーティクル汚染の低減、総所有コストの低下などがあります。

Integrated MaterialsのCEO、トム・キャドウェル氏は、次のように説明しています。「このライナーをSiFusionファーネスウェア・スイートに追加することで、ファブは従来のファーネス用消耗品でやむを得ず行っていた時間と費用がかかる作業を削減することができます。SiFusionファーネスウェアを導入することにより、熱処理パフォーマンスの向上、ファーネスのスループットの増大、費用対効果やプロセス・パフォーマンスの改善というメリットが得られます。」

ファーネスのダウンタイムの減少ファーネスのすべてのコンポーネントは、指定されたミクロン・レベルに達すると予防的な保守サービスが必要となります。このサービスを実施するためには、たとえ1つの部品を交換するためだけであっても、ファーネス全体をラインから外す必要があります。SiFusionファーネスウェアは、定期的な洗浄がまったく不要なので、生産キャパの有効稼働率を大幅に向上させることができます。装置の定期的な洗浄のためのダウンタイムが不要となり、したがって、その後の校正も必要ありません。このためファブは、スループットを大きく向上させ、個々のファーネスの稼働率を上げることができます。

パーティクルの発生と金属汚染の抑制ファーネスのコンポーネントは、どれもウェハの不良の原因となる可能性があります。シリコンカーバイドと石英でできた部品は、ポリシリコンに比べるとはるかに多くのパーティクルを放出します。SiFusionは、金属イオンをまったく含まない高純度のポリシリコンを素材のベースとしており、ウェハの不良と歩留まりの低下の原因となるパーティクルをほとんど発生させず、微量金属を放出しません。すべての冶具にSiFusionを使用することで、ファブは不良発生率を低く抑えることができます。

叢書有効ストの低下 Williams Wright & Kelly, Inc.（WWK）が最近行った総所有コスト分析で確認されましたが、SiFusionは、優れた生産設備稼働率、週間良品ウェハ製造率、年間クリーニング費用、年間コンポーネント使用量、年間破損リスクに優れ、シリコンカーバイドと石英でできた競合装置に比べて総所有コストを抑制することができます。

SiFusionのライナー SiFusionライナーは、インジェクタとボートともに、半導体LPCVDファーネスの基本的な構成要素です。ライナーは、注入口から排出口までのガスの安定したフローを導き、また超高純度のバリアとなり、外部ファーネス管から排出されるパーティクルが製品歩留まりを低下させるのを防ぎます。

SiFusionライナーは、特許を取得した表面処理が特長で、熱応力を発散し、高温のサイクル中も構造の歪みを防ぐので、ファーネスのアップタイムの増大、不良率の低下、および歩留まりの向上に貢献します。

SiFusionライナーは、200～300mmの縦型ファーネス・プロセス用途に適しており、特に高温、LPCVD、HTOファーネスに最適です。SiFusionライナーは、すでに日本、韓国、シンガポールのファブで適合性を認められています。初期段階のパフォーマンス・データは、SiFusionライナーをボートともに使用すると、パーティクル・レベルが抜群に低下することを示しています。

製品の発売時期 SiFusionライナーとその他のファーネスウェアはIntegrated Materialsのグローバル販売チーム経由でご購入ください。最寄りの代理店は、www.sifusion.comで検索してください。

Sat, 01 Jul 2006 03:43:51 +1000

Sat, 24 Jun 2006 06:52:01 +1000

Sat, 24 Jun 2006 06:50:35 +1000

Sat, 24 Jun 2006 06:49:10 +1000